Дополнительная информация:-
описание:ПамятьCD3-SS04G16M11-01 от компании CBR.
Row Precharge Delay (tRP):11
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:CD3-SS04G16M11-01
Напряжение (В):1.35
название:CBR DDR3 SODIMM 4GB CD3-SS04G16M11-01 PC3-12800, 1600MHz, CL11
RAS to CAS Delay (tRCD):11
Тайминги:11-11-11-28