описание:Память QUM3U-4G1600K11L от производителя QUMO
Row Precharge Delay (tRP):11
Дополнительная информация:нет
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:QUM3U-4G1600K11L
Объем одного модуля (ГБ):4
Напряжение (В):1.35
название:QUMO DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz QUM3U-4G1600K11L 1.35V
высота(см):1
RAS to CAS Delay (tRCD):11